第 4 代碳化硅技术：重新定义高功率应用的性能和耐久性
本白皮书重点介绍 Wolfspeed 专为高功率电子应用而设计的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。基于在碳化硅创新领域的传承，Wolfspeed 定期推出尖端技术解决方案，重新定义行业基准。
碳化硅（Silicon Carbide，SiC）是一种广泛应用于半导体器件制造的化合物材料。它具有多种优异的性能特点，使其成为了替代传统硅（Silicon，Si）材料的重要选择之一。
英飞凌达成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：开始交付首批产品
英飞凌开始向客户提供首批采用先进的200 mm碳化硅（SiC）晶圆制造技术的SiC产品
英飞凌：30年持续领跑碳化硅技术，成为首选的零碳技术创新伙伴
2024年，全球极端天气频发，成为有气象记录以来最热的一年，飓风、干旱等灾害比往年更加严重。在此背景下，推动社会的绿色低碳转型，提升发展的“绿色含量”已成为广泛共识。
安森美将收购碳化硅 JFET 技术，以增强其针对人工智能数据中心的电源产品组合
收购Qorvo的SiC JFET业务及其子公司United Silicon Carbide，预计将在5年内为安森美带来13亿美元的市场机会
雷诺旗下安培与意法半导体签署碳化硅长期供应协议，合作开发电动汽车电源控制系统
意法半导体与雷诺集团签署长期供货协议，保证安培碳化硅功率模块的供应安全
克服碳化硅制造挑战，助力未来电力电子应用
几十年来，硅（Si）一直是半导体行业的主要材料——从微处理器到分立功率器件，无处不在。然而，随着汽车和可再生能源等领域对现代电力需求应用的发展，硅的局限性变得越来越明显。
意法半导体第四代碳化硅功率技术问世：为下一代电动汽车电驱逆变器量身定制
到 2025 年，750V 和 1200V两个电压等级的产品将实现量产，将碳化硅更小、更高效的优势从高端电动汽车扩展到中型和紧凑车型。
英飞凌于马来西亚启用全球最大且最高效的碳化硅功率半导体晶圆厂
马来西亚总理、吉打州州务大臣与英飞凌管理层共同出席了新晶圆厂一期项目的生产运营启动仪式。
安森美加速碳化硅创新，助力推进电气化转型
EliteSiC M3e MOSFET 在可靠且经过实际验证的平面架构上显著降低了导通损耗和开关损耗。与前几代产品相比，该平台能够将导通损耗降低30%，并将关断损耗降低多达50%
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块
近日，半导体器件领域企业SemiQ宣布，其QSiC™产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。
