三星公布3纳米GAA架构制程技术芯片开始生产
相较三星5纳米（nm）而言，优化的3纳米（nm）工艺，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面积减少16%
台积电：2nm芯片将于2025年投产 首次使用GAA技术
第一季度财报电话会议上，台积电报告称正全力以赴地开发下一代工艺节点。这家半导体巨头计划在今年晚些时候将投产首批 3 纳米工艺，并在 2025 年底前做好 2 纳米工艺的准备。
新思科技与三星合作，加速推广变革性3纳米GAA技术
新思科技近日宣布，其Fusion Design Platform™已支持三星晶圆厂实现一款先进高性能多子系统片上系统（SoC）一次性成功流片，验证了下一代3纳米（nm）环绕式栅极（GAA）工艺技术在功耗、性能和面积（PPA）方面的优势。
西门子的 Analog FastSPICE 平台获得三星Foundry认证，可支持 3nm GAA 工艺技术设计
西门子近日宣布，其业界领先的模拟/混合信号（AMS）电路验证工具现可用于三星Foundry 3nm 环绕栅极 （GAA）工艺技术。
