Microchip推出 64 Mb并行SuperFlash®闪存,丰富旗下应用于航天系统的COTS耐辐射产品阵容


Microchip 今日宣布推出一款耐辐射的64兆位(Mbit)并行接口SuperFlash闪存器件,具有卓越的总电离剂量(TID)耐受能力,可在恶劣的太空辐射环境中实现最大的可靠性和耐用性。
Microchip 今日宣布推出一款耐辐射的64兆位(Mbit)并行接口SuperFlash闪存器件,具有卓越的总电离剂量(TID)耐受能力,可在恶劣的太空辐射环境中实现最大的可靠性和耐用性。
Microchip的模拟存储器解决方案基于业界认可的SuperFlash®技术,同时针对神经网络的矢量矩阵乘法(VMM)执行进行优化,通过模拟存储计算方法改进VMM的系统架构实施,提高边缘AI推理能力。
我们都使用NOR闪存来加载简单的引导代码,但NOR闪存有一个大问题,就是它的擦除时间。如果您在现场重新刷新系统或者在系统上运行一些系统测试,则擦除整个NOR闪存芯片可能需要几分钟,甚至擦除几个扇区都需要几十秒的时间。这就是为什么推出SuperFlash®闪存的原因。SuperFlash®闪存可以代替其他NOR闪存芯片。