Transphorm公司的TOLL FET将GaN定位为适用于耗电型AI应用的最佳器件 winniewei -- 周三, 10/11/2023 - 14:07 三种新器件为基于SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常关D模式平台优势，该系统要求在紧凑的占地面积内以较低的热阻获得更高的可靠性及性能
