X-FAB

X-FAB推出基于其110nm车规BCD-on-SOI技术的嵌入式数据存储解决方案

新IP将闪存与EEPROM元件相结合,增强数据保持能力,具备同类最佳的运行可靠性

X-FAB新一代光电二极管显著提升传感灵敏度

稳健、可靠的器件不仅增强光谱响应速度,同时大幅提升信噪比特性

X-FAB增强其180纳米车规级高压CMOS代工解决方案

XP018平台新增极具竞争力的第二代高压基础器件


X-FAB引入图像传感器背照技术增强CMOS传感器性能

为医疗、汽车和工业客户提供集更高灵敏度、更大像素尺寸和感光面积于一体的传感器工艺平台


X-FAB推出针对近红外应用的新一代增强性能SPAD器件

全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,推出专用近红外版本的单光子雪崩二极管(SPAD)器件组合。


X-FAB在制造工艺上的突破为电隔离解决方案增加CMOS集成选项

全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,在电隔离技术领域取得重大进展——X-FAB在2018年基于其先进工艺XA035推出针对稳健的分立电容或电感耦合器优化之后,现又在此平台上实现了将电隔离元件与有源电路的直接集成。


X-FAB最新的无源器件集成技术拥有改变通信行业游戏规则的能力

高度优化的解决方案实现主要小型化目标,且不受生产批量的局限


X-FAB领导欧资联盟助力欧洲硅光电子价值链产业化

PhotonixFab将为光电子产品的创新及商业化打通路径,实现高产能制造

X-FAB率先向市场推出110纳米BCD-on-SOI代工解决方案

新一代针对数字设计占比高的车规级工艺

X-FAB与莱布尼茨IHP研究所达成许可协议,推出创新的130纳米SiGe BiCMOS平台

全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries 与莱布尼茨IHP研究所今日共同宣布,将推出创新的130纳米SiGe BiCMOS平台,进一步扩大与莱布尼茨高性能微电子研究所(IHP)的长期合作关系。