台积电

英飞凌科技股份公司和台积电近日宣布，两家公司准备将台积电的可变电阻式记忆体制程技术引入至英飞凌的新一代MCU AURIX™微控制器中。

台积电在先进工艺上一骑绝尘，5nm工艺之后，台积电正在全力冲刺3nm，据传准备了多个版本，至少包括N3、N3E、N3B。

ODM／OEM厂、手机厂、汽车厂、资料中心等业者仍普遍预期芯片短缺情况将延续到2022年后，半导体产能供不应求可能要2023年才会缓解。

外媒报道称，台积电已经悄然推出了 7nm 深紫外（N7 / DUV）和 5nm 极紫外（N5 / EUV）制造工艺的性能增强版本。该公司的 N7P 和 N5P 技术，专为那些需要运行更快、消耗更少电量的客户而设计。

Arm宣布旗下Arm®Artisan®物理IP将应用于台积电基于Arm架构的SoC设计22nm超低功耗（ULP）和超低漏电（ULL）平台。台积电22nmULP/ULL技术针对主流移动和物联网设备进行了优化，与上一代台积电28nm HPC+平台相比，在提升基于Arm的SoC性能的同时，更显著降低功耗和硅片面积。