快充仅是第三代半导体应用“磨刀石”，落地这一领域可每年省电40亿度 winniewei -- 周四, 08/05/2021 - 13:59 众所周知，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体，相较传统的硅材料半导体，具备许多非常优异的特性，如高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率以及抗强辐射能力等。
