爱普高电容密度硅电容S-SiCap™ Gen3通过客户验证


全球客制化存储芯片解决方案设计公司爱普科技今日宣布,新一代硅电容(S-SiCap™, Stack Silicon Capacitor) Gen3已通过客户验证,此产品具备超高电容密度及超薄(<100um薄度)等优势,可在先进封装制程中与系统单芯片(SoC)进行弹性客制化整合,满足客户在高端手机及高性能计算(HPC)芯片的应用需求。
全球客制化存储芯片解决方案设计公司爱普科技今日宣布,新一代硅电容(S-SiCap™, Stack Silicon Capacitor) Gen3已通过客户验证,此产品具备超高电容密度及超薄(<100um薄度)等优势,可在先进封装制程中与系统单芯片(SoC)进行弹性客制化整合,满足客户在高端手机及高性能计算(HPC)芯片的应用需求。