完成了基于110纳米的全局快门工艺和SPAD工艺的开发
可期待适用在各种应用上，包括汽车、工业机器视觉、增强现实(AR)/虚拟现实(VR)可穿戴设备等
DB HiTek宣布， 公司已开发出基于110纳米的全局快门（global shutter）和单光子雪崩二极管 (SPAD:single-photon avalanche diode)工艺，并将扩展其图像传感器市场。
全局快门能同时感应所有像素的图像信息，即使在拍摄快速移动的物体时，也能准确记录视频和图像而不会失真。此外，全局快门还能高度精确地识别物体形态。近来，全局快门广泛应用于工业机器视觉，此外还适用于汽车、无人机和机器视觉检测用相机等各种应用。
DB HiTek的全局快门基于110nm BSI工艺，并采用了遮光罩(light shield)和导光(light guide)技术。 拥有99.99%的全局快门效率(GSE)性能，并且能支持最小至2.8um的多种像素尺寸。
单光子雪崩二极管(SPAD)是一种传感技术，可以检测到单光子水平的弱光信号。SPAD能够识别从物体反射的光线到达传感器的飞行时间(ToF)，从而测量出与物体之间的距离。凭借长距离和高精度优势，SPAD被积极应用于车载激光雷达(LiDAR)或 ToF 领域，同时也适用于智能手机、AR/VR可穿戴设备、监控摄像头和工业机器视觉等各种应用。
DB HiTek以110纳米FSI工艺为基础，确保了3.8%的@905纳米光子探测概率 (PDP)性能，公司还计划在今年内实现BSI工艺，并完成PDP 7%@905纳米的开发。
为了协助无晶圆厂客户按时进入市场并提高产品竞争力，DB HiTek将在今年9月提供专门为全球快门和SPAD运营的MPW(multi project wafer)服务。
如需了解更多信息，请通过marketing1@dbhitek.com联系DB HiTek营销团队。
关于DB HiTek
总部位于韩国的DB HiTek Co., Ltd.是全球领先的专业晶圆代工厂，在BCDMOS、CIS、MEMS、MS/RF和SJ MOSFET工艺方面具有竞争优势。
DB HiTek的前身是Dongbu HiTek Co.,Ltd.。如需了解更多信息，请访问www.dbhitek.com。
