随着科技的日益发展，存储需求的日益增加，芯片国产替代也日趋重要，东芯半导体作为Fabless芯片企业，不断助力芯片国产化进程。
新兴领域的不断发展，5G通讯、物联网等领域对高可靠性中小容量NAND Flash需求增加也为SLC NAND Flash 带来契机，东芯半导体聚焦于SLC NAND Flash 的设计与研发，也致力于为日益发展的存储需求提供高效可靠的解决方案。
NAND Flash以类型分类，分为SLC、MLC、TLC和QLC四类，每个单元存储的信息依次递增，电压变化随存储信息增加呈指数级增长，相应的P/E寿命随之减少。
因为其底层结构不同，产品性能也更不相同，SLC NAND Flash 由于其结构决定了其拥有高可靠性、高擦除性和高带宽等优势。同时，SLC NAND Flash 是进入大容量NAND Flash 的必经之路，具有不可替代性。
东芯半导体立足中于小容量存储芯片市场，SLC NAND Flash 存储容量可提供从1Gb至8Gb覆盖市场主流容量需求的产品，灵活选择SPI/PPI类型接口的数据传输方式，可搭配 3.3V/1.8V双电压，满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。
01、SPI NAND Flash：单芯片设计的串行通信方案，引脚少、封装尺寸小，在同一颗粒上集成存储阵列和控制器，带有内部ECC模块。
02、PPI NAND Flash：兼容传统的并行接口标准、高可靠性，容量从1Gb到8Gb， 3.3V/1.8V两种电压，多种封装方式。
同时，东芯半导体通过持续的自主研发，SLC NAND Flash产品系列具备多项核心技术，以此提升产品性能 。
核心技术：
东芯半导体 SLC NAND Flash
1）局部自电位升压操作方法
2）步进式、多次式编写/擦除操作方法
3）内置8比特ECC技术
4）针对提高测试效率的芯片设计方法
5）内置高速SPI接口技术
6）缩减布局区域的闪存装置
因此，东芯SLC NAND Flash 产品进一步缩减电路尺寸，缩小存储芯片面积，持续提高产品性能，满足了可穿戴设备、智能移动终端等下游应用对存储芯片高度集成化的发展需求。
东芯，为日益发展的存储需求提供高效可靠的解决方案。
关于东芯
东芯半导体以卓越的MEMORY设计技术，专业的技术服务实力，通过国内外技术引进和合作，致力打造成为中国本土优秀的具有自主知识产权的存储芯片设计公司。
