华邦 256Mb HyperRAM 2.0e KGD 良裸晶圆封装为 Efinix Ti60 F100 提供高性能、低功耗、小尺寸的内存选择，充分满足嵌入式边缘AI应用的多种需求
与传统 DRAM 所需配备 31-38 个标准引脚相比，仅需 22 个信号引脚的华邦 HyperRAM 2.0e KGD，可使设计人员大幅减少其空间占用并简化设计
华邦 HyperRAM 可实现超低功耗：主动模式下功耗与竞争对手的 DRAM 等同或更低，同时提供140 uW的待机功耗。此外混合睡眠模式的功耗仅为 70uW
全球半导体存储解决方案领导厂商华邦电子今日宣布，可编程产品平台和技术的创新厂商Efinix选择华邦HyperRAMTM 内存来驱动新一代相机和传感器系统，如人工智能、物联网、热成像仪、工业相机、机器人和智能设备等。华邦256Mb x16 HyperRAM 2.0e KGD 具备提供超低功耗、高性能和小巧的外形尺寸设计，为Efinix Titanium Ti60 F100 FPGA提供完整、易于实现的内存系统，帮助其快速地将产品推向市场，同时兼具成本效益。
华邦表示：“如今，设备制造商正在将传感器和连接功能添加到几乎所有的下一代应用中，这一趋势推动了提高边缘处理能力，同时却又希望能继续保持设备小巧尺寸的需求。HyperRAM特别针对这些应用进行优化，通过混合睡眠模式提供超低功耗、用较少的信号引脚简化设计，同时保持及其小巧的芯片尺寸。品牌客户或系统制造商，如Efinix可轻松设计出PCB尺寸更小的Ti60 （SiP 256Mbx16 HyperRAM KGD），以装载于可穿戴相机等紧凑型应用设备中。”
Efinix市场营销副总裁 Mark Oliver表示：“Ti60 F100专为边缘和物联网应用所设计，要求其具备小尺寸与低功耗等关键性能。华邦所提供的超低功耗和小尺寸内存与Titanium系列的低功耗性能相结合，可充分满足上述要求。华邦HyperRAM的低引脚数，可将设备轻松集成到微型的5.5 mm2 多芯片系統封裝中。”
关于Ti60 F100
Efinix Ti60 F100 内含价值60K的逻辑和高速I/O，可针对各种通信协议进行配置，此外还集成了SPI闪存和HyperRAM，且全部封装在0.5mm球间距的微型5.5 mm2 封裝中。通过结合FPGA逻辑和数据存储，Ti60 F00 成为了适用于各种相机和传感器系统的最佳解决方案。借助SPI闪存，设计人员无需配备外挂独立内存，而HyperRAM可用于存储用户数据。客户可将HyperRAM用作视频的帧缓冲器，用于存储AI的权重和偏差、存储飞行时间（TOF）传感器的参数，或存储RISC-V SoC的固件。如需了解Efinix平台的更多相关信息，请访问 Titanium Ti60 F100
关于HyperRAM
华邦HyperRAM是嵌入式AI和图像识别与处理的理想选择。在这些应用中，电子电路必须尽可能微型化，同时需提供足够的存储和数据带宽以支持计算密集型的工作负载，例如关键字识别或图像识别。HyperRAM可在200MHz的最大频率下运行，并在3.3V或1.8V的工作电压下提供400MB/s的最大数据传输速率。同时，HyperRAM在操作和混合睡眠模式下均可提供超低功耗， 以华邦64Mb HyperRAM为例，常温下1.8V待机功耗为70 uW，更重要的是，HyperRAM在1.8V混合睡眠模式下的功耗仅为35uW。此外，HyperRAM 64Mb x8仅有13个引号引脚，可大幅简化PCB布局设计。设计人员在设计终端产品时，可使MPU将更多引脚用于其他目的，或者采用拥有更少引脚的MPU以提高成本效益。
下图说明华邦256Mb x16 HyperRAM 2.0e KGD在Efinix Ti60平台上的配置：
华邦HyperRAM内存容量为256Mb，时钟频率高达200MHz，配备用于高速传输的HyperBus接口，并支持高达400Mbps的双倍数据传输速率。将内存集成在同一封装中，设计人员可存储视频帧数据或传感器数据，然后通过FPGA逻辑加以处理，而无需挪出电路板空间来放置其他的存储设备。
关于华邦
华邦电子为全球半导体存储解决方案领导厂商，主要业务包含产品设计、技术研发、晶圆制造、营销及售后服务，致力于提供客户全方位的利基型内存解决方案。华邦电子产品包含利基型动态随机存取内存、行动内存、编码型闪存和TrustME® 安全闪存，广泛应用在通讯、消费性电子、工业用以及车用电子、计算机周边等领域。华邦总部位于中国台湾中部科学园区，在美国、日本、以色列、中国大陆及香港地区、德国等地均设有子公司及服务据点。华邦在中科设有一座12寸晶圆厂，目前并于南科高雄园区兴建新厂，未来将持续导入自行开发的制程技术，提供合作伙伴高质量的内存产品。
