• 完成基于130/110纳米技术的工艺开发
• 给客户提供全球最佳性能SOI/HRS工艺
• 面向各种应用场景，例如无线通信产品、智能手机/物联网等
DB HiTek已宣布通过基于130/110纳米技术的射频绝缘体上硅(RF SOI)和射频高电阻率衬底(RF HRS)工艺来拓展射频前端业务。
射频前端是无线通信的必备器件，其负责IT设备之间的发射(Tx)和接收(Rx)，并广泛应用于智能手机和物联网等通信领域。 一般来说，射频前端模块是以天线调谐器、开关、低噪声放大器(LNA)和功率放大器(PA)等部件组成。
随着无线通信技术迈向5G，对高频率、高灵敏度的高质量通信的需求正在不断提升射频前端的重要性。因此，射频前端市场规模预计将从2019年的124亿美元快速增长至2025年的217亿美元。
在射频前端的众多部件中，DB HiTek目标产品是开关和LNA。开关负责在发射/接收信号时打开/关闭通道，而LNA是5G等高速通信的核心产品，通过放大频率而传输更准确的信号。
DB HiTek通过增加SOI和HRS晶圆，以阻止或最大限度地减少之前射频体硅工艺(RF bulk process)的泄漏电流，从而大幅提升性能。
尤其是130纳米技术的RF SOI工艺，DB HiTek拥有世界领先的性能，如开关关键质量因素(FOM)为84fs，击穿电压(BV)为4.4V。LNA可支持高达120GHz的截止频率(Ft)，并有望在2022年上半年支持最高150Ghz以上。
基于110纳米技术的RF HRS（高电阻率衬底，>1Kohm）工艺具有出色的价格竞争力。开关FOM为164fs，BV为4.6V，LNA可支持截止频率为100GHz 。150GHz及以上的LNA产品正在开发中，将在2022年上半年内实现对这一频率的支持。
DB HiTek积极支持客户，使客户及时导入射频前端市场，DB HiTek每季度提供一次多项目晶圆(MPW)服务，可节省客户的研发费用。
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