2024年1月29日，长光辰芯重磅发布全新一代sCMOS图像传感器——GSENSE3243BSI。与GSENSE系列以往产品不同，全新一代sCMOS- GSENSE 2.0采用了先进的65nm堆栈工艺，充分利用堆栈工艺的高数据吞吐量、高满阱、高动态范围等性能优势，助力高通量、高性能科学仪器快速发展。GSNESE3243BSI作为GSENSE2.0的第一款产品，将首次亮相于2024年1月30日在美国旧金山举办的西部光电展。
定义下一代sCMOS ——更高满阱
GSENSE3243BSI是GSENSE产品系列中首个基于先进的65nm堆栈工艺技术的sCMOS图像传感器，底层读出电路采用了全帧存储模块设计，支持在顶层像素一次曝光下多次读出、采样、片上存储和求和运算，从而极大提升了满阱容量。在4次像素读出模式下的满阱容量为96ke⁻，通过2x2binning最高可实现192ke⁻的满阱容量，最大信噪比得到进一步的提升。
多种HDR模式加持——更高动态范围
GSENSE3243BSI继承了第一代GSENSE产品中广泛使用的双增益HDR模式，其动态范围可达75dB。另外芯片还支持片上压缩HDR模式以及多斜率HDR模式，动态范围可进一步提升至104dB，以满足更高的成像要求。
自研GSI高速接口——更高帧率
GSENSE3243BSI的分辨率为8192 x 5232 ，采用3.2μm像素设计 ，感光面对角线尺寸为 31.1mm。芯片采用32对LVDS通道进行进行数据读出时，单通道数据率为1.05Gbps, 使得芯片帧率可达50fps。
另外，GSENSE3243BSI也首次集成了长光辰芯自研的片上高速读出接口GSI， 支持16路GSI接口同时进行数据读出，单通道数据率为5.25Gbps, 其在全分辨率下可实现100fps@14bit的最高帧率。结合开窗功能以及片上像素合并，可实现较低分辨率下更高的帧率。
GSENSE3243BSI
得益于先进的背照式工艺，GSENSE3243BSI具有超过80%的峰值量子效率和良好的角度响应。芯片暗电流小于1e⁻/pixel/s@0℃，在长曝光条件下，可获得比传统sCMOS更加优质的成像效果。基于以上优异性能的加持，GSENSE3243BSI为生物显微、科学仪器等领域提供了全新的解决方案。
GSENSE3243BSI应用场景
GSENSE3243BSI采用455-pins LGA陶瓷封装，可选择密封或可拆卸玻璃盖板。GSENSE3243BSI仅提供黑白版本，工程样片即日起接受预定，预计3月初开始发货。
GSENSE3243BSI封装信息
来源：长光辰芯
