传统二极管是一个应用非常广泛的器件。标准硅二极管的正向压降为0.6V到0.7V，肖特基二极管的正向压降为0.3V。对于通常应用来说，压降不是问题，但是在一些低电压或者对功率损耗要求比较高的场景下，系统通常不能接受这么大的压降。而且传统二极管的反向漏电很大，在某些应用中也是不能被接受的。因此，诞生了用低导通电阻的MOSFET来模拟二极管单向电流的行为，即理想二极管芯片。
爻火也适时推出了全新的理想二极管芯片YHM2031。YHM2031内部集成由VOUT和VIN控制的MOSFET，可以实现双向关断，导通情况下有最大1A的通流能力。
YHM2031应用框图
YHM2031低功耗设计及控制方式
YHM2031充分考虑了低功耗的设计。在正向导通情况下，IN上消耗的静态功耗只有160nA；在反向关断的情况下，IN上仅消耗10nA的功耗。如果输入端接的是电池，这样的设计极大的减小了在不需要它供电的情况下的电池自身耗电。同时，在反向关断的情况下，反向OUT端也仅只有170nA的耗电，这个电流相当于二极管的反向漏电，但电流值比传统二极管减小了很多。
YHM2031采用调制方式控制MOSFET的通断，保证在VIN≤VOUT时，MOSFET是处于关闭状态。同时，YHM2031集成了使能控制，EN管脚可以控制YHM2031的通断。当EN使器件断开后，YHM2031可以阻止双向的电流流动，把IN和OUT端真正隔离开。
YHM2031主要性能指标如下：
供电范围：1.65V ~ 5.5V
低静态功耗：
正向导通：160nA IN静态功耗
反向导通：10nA IN 静态功耗
170nA OUT静态功耗
低导通压降：18mV @ 200mA；
45mV @ 500mA；
90mV @ 1A
可选的output quick discharge功能
可选的EN极性控制
过温过流保护
封装为：0.67mm × 0.75mm WLCSP-4
5-PIN SOT23-5
YHM2031封装图
选型表
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来源：YHM爻火微电子
