全球氮化镓领先企业英诺赛科参展2025（春季）亚洲充电展，英诺赛科是全球首家实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产的企业，根据弗若斯特沙利文的数据，2023年英诺赛科在全球氮化镓功率半导体市场的份额为33.7%，按收入计排名第一。按折算氮化镓分立器件出货量计，其市场份额高达42.4%，同样位居全球第一。在专利布局方面，截至2024年6月30日，英诺赛科在全球拥有约319项专利和430项专利申请，涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。其专利布局不仅保护了自身的核心技术，也为公司在全球市场上的竞争提供了有力支持。
近年来，英飞凌多次起诉英诺赛科氮化镓侵权，这是国际厂商为了阻碍本土厂商发展的惯用流氓手段，不过，2025年1月16日，英诺赛科及全资附属公司英诺赛科（苏州）半导体有限公司已经向中国江苏省苏州市中级人民法院起诉英飞凌科技（中国）有限公司、英飞凌科技（无锡）有限公司及苏州芯沃科电子科技有限公司，指控其侵犯了202311774650.7号和202211387983.X号专利。涉案专利涉及氮化镓（GaN）功率器件及其制备方法，以及氮化物基半导体器件及其制造方法。目前诉讼还在继续，我们拭目以待。
