FinFET

这款测试芯片是业界首款采用12纳米FinFet（FF）技术为音频IP提供完整解决方案的产品。该芯片完美结合了高性能、低功耗和优化的占板面积，为电池供电应用提供卓越的音质与功能。

ASIC设计服务暨IP研发销售厂商智原科技推出支持多家晶圆厂FinFET工艺的芯片后端设计服务(design implementation service)，由客户指定制程（8纳米、7纳米、5纳米及更先进工艺）及生产的晶圆厂。

助力客户在高带宽内存方面保持长期优势，一次设计五年不过时！

虽然栅极间距(GP)和鳍片间距(FP)的微缩持续为FinFET平台带来更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先进节点上，兼顾寄生电容电阻的控制和实现更高的晶体管性能变得更具挑战。

世芯电子完整体现了其在先进FinFET（先进鳍式场效电晶体）的技术组合并且成功完成在台积电7/6/5纳米的流片。

ASIC设计服务暨IP研发销售厂商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE：3035）发布基于三星14LPP FinFET工艺的SoCreative!VI™ A600 SoC开发平台。

得益于从平面型晶体管到鳍式场效应管（FinFET）的过渡，过去 10 年的芯片性能提升还算勉强。然而随着制程工艺不断抵近物理极限，芯片行业早已不再高声谈论摩尔定律。尽管业界对环绕栅极晶体管（GAAFET）在 3nm 及更先进制程上的应用前景很是看好，但这种转变的代价也必然十分高昂。

FinFET在22nm节点的首次商业化为晶体管——芯片“大脑”内的微型开关——制造带来了颠覆性变革。与此前的平面晶体管相比，与栅极三面接触的“鳍”所形成的通道更容易控制。但是，随着3nm和5nm技术节点面临的难题不断累积，FinFET的效用已经趋于极限。