GAA-FET将是芯片制造商达成3nm工艺节点的重要一环
得益于从平面型晶体管到鳍式场效应管(FinFET)的过渡,过去 10 年的芯片性能提升还算勉强。然而随着制程工艺不断抵近物理极限,芯片行业早已不再高声谈论摩尔定律。尽管业界对环绕栅极晶体管(GAAFET)在 3nm 及更先进制程上的应用前景很是看好,但这种转变的代价也必然十分高昂。
得益于从平面型晶体管到鳍式场效应管(FinFET)的过渡,过去 10 年的芯片性能提升还算勉强。然而随着制程工艺不断抵近物理极限,芯片行业早已不再高声谈论摩尔定律。尽管业界对环绕栅极晶体管(GAAFET)在 3nm 及更先进制程上的应用前景很是看好,但这种转变的代价也必然十分高昂。