MOSFET | 电子创新网

CCPAK1212封装将再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现

winniewei -- 周四, 12/12/2024 - 16:56

提供超低RDS(on)和超高的电流与热管理能力

winniewei -- 周三, 11/27/2024 - 16:52

提供业界领先的低通态电阻，使电池储能和电源设备应用的电路设计更加简化，性能得到提升。

winniewei -- 周日, 09/29/2024 - 09:38

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新StrongIRFET™ 2功率MOSFET 30 V产品组合，扩展了现有StrongIRFET™ 2系列产品的阵容，以满足大众市场对30 V解决方案日益增长的需求。

winniewei -- 周四, 09/19/2024 - 14:35

本文说明描述了如何在Keithley 4200-SCS（半导体表征系统）中使用这些关键功能来执行热载流子退化测试。

winniewei -- 周三, 09/11/2024 - 10:09

单/双封装比传统封装具有更优异的热性能

cathy -- 周三, 07/24/2024 - 14:08

CoolSiC™ G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章，适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。

winniewei -- 周四, 06/06/2024 - 17:11

MOSFET、IGBT和BJT等半导体器件的开关速度受到元件本身的电容的影响。为了满足电路的效率，设计者需要知道这些参数。例如，设计一个高效的开关电源将要求设计者知道设备的电容，因为这将影响开关速度，从而影响效率。这些信息通常在MOSFET的指标说明书中提供。

winniewei -- 周二, 05/07/2024 - 14:21

第四代器件，额定功率和功率密度高于D²PAK 封装产品，降低导通和开关损耗，从而提升能效

winniewei -- 周一, 04/15/2024 - 14:27

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。

winniewei -- 周四, 02/22/2024 - 16:57

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代^[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），该系列适用于包括数据中心和光伏功率调节器等应用的开关电源。