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东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率

winniewei -- 周二, 06/13/2023 - 11:37

东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，推出采用最新一代工艺制造的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。

winniewei -- 周四, 05/18/2023 - 15:06

东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保护电路。该产品于今日开始支持批量出货。

winniewei -- 周四, 05/11/2023 - 14:24

无需人工计算，参数可随用户输入动态响应

winniewei -- 周五, 04/14/2023 - 09:58

Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新产品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。

winniewei -- 周四, 03/30/2023 - 15:58

东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。

winniewei -- 周三, 03/22/2023 - 10:20

RDS(on)额外降低40%，功率密度提高58倍，适合电信和热插拔计算应用

winniewei -- 周四, 02/09/2023 - 14:34

如今，出行生态系统不断地给汽车设计带来新的挑战，特别是在电子解决方案的尺寸、安全性和可靠性方面提出新的要求。此外，随着汽车电控制单元 (ECU) 增加互联和云计算功能，必须开发新的解决方案来应对这些技术挑战。

winniewei -- 周四, 12/01/2022 - 15:16

非常有助于提高无线耳机和可穿戴设备等小而薄设备的效率和运行安全性！

winniewei -- 周二, 11/29/2022 - 17:40

贸泽电子(Mouser Electronics) 提供英飞凌的各种通用MOSFET。英飞凌丰富多样的高压和低压MOSFET产品组合为各种应用提供灵活性、适应性和高价值，可帮助设计师满足项目、价格或物流要求。

winniewei -- 周一, 11/21/2022 - 15:03

高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得，也不能满足如今在尺寸、重量和成本方面极具挑战性的要求。