基于SiC的高电压电池断开开关的设计注意事项
在本文中,我们将讨论在选择功率半导体技术和定义高电压、高电流电池断开开关的半导体封装时的一些设计注意事项,以及表征系统的寄生电感和过流保护限值的重要性。
SiC是碳化硅(Silicon Carbide)的缩写,是一种广泛用于半导体和电子设备制造的材料。
在本文中,我们将讨论在选择功率半导体技术和定义高电压、高电流电池断开开关的半导体封装时的一些设计注意事项,以及表征系统的寄生电感和过流保护限值的重要性。
本文提出一个用尺寸紧凑、高成本效益的DC/AC逆变器分析碳化硅功率模块内并联裸片之间的热失衡问题的解决方案,该分析方法是采用红外热像仪直接测量每颗裸片在连续工作时的温度,分析两个电驱逆变模块验证,该测温系统的验证方法是,根据栅源电压阈值选择每个模块内的裸片。
小型封装内置第4代SiC MOSFET,实现业界超高功率密度,助力xEV逆变器实现小型化!
近日,瞻芯电子正式推出一款车规级1200V 碳化硅(SiC)三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z,该模块产品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分别获得了AQG324与AEC-Q101车规级可靠性认证。
全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®近日宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅(SiC)模块,其中两款为半桥配置,两款为全桥配置,导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。
利普思推出全新62mm封装SiC模块产品组合,性能达到业内一流水平。模块采用工业领域大量应用的62mm模块半桥型拓扑设计,使用高品质的成熟芯片,其耐压高、功率密度出众、短路耐量高、温度系数在1.4倍,优于行业水平。