SiC-FET

Qorvo® 今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列，该系列具有出色的导通电阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常适用于主流的 800V 总线架构，这种架构常见于电动汽车车载充电器、工业电池充电器、

图腾柱功率因数校正电路一直停留在想法阶段，人们不断寻找它的有效实施技术。现在，人们发现，SiC FET是能让该拓扑发挥最大优势的理想开关。