东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET,适用于快充设备
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东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布,推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”,该器件可用于移动设备锂离子(Li-ion)电池组中的电池保护电路。该产品于今日开始支持批量出货。
东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布,推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”,该器件可用于移动设备锂离子(Li-ion)电池组中的电池保护电路。该产品于今日开始支持批量出货。