SuperGaN

Transphorm展示面向电动出行和能源/工业市场的双向SuperGaN电源的全新参考设计
300 W DC/DC电池充电器板展示了推进电动出行应用所需的氮化镓技术的关键能力
Transphorm的SuperGaN亮相PCIM 2024展会：在大功率系统中超越碳化硅和增强型氮化镓的能力
Transphorm常闭耗尽型（D-Mode）平台带来的更低损耗、更高性能，以及突破性的氮化镓产品创新，使电动汽车、数据中心/人工智能和其他多市场电源系统成为可能
全球笔记本电脑制造商前三强的65W USB-C PD GaN电源适配器采用Transphorm技术
产品拆解显示惠普65W USB-C PD/PPS双输出电源适配器采用Transphorm SuperGaN® FET技术 
Transphorm的表面贴装封装产品系列增加行业标准TO-263 (D2PAK)封装产品，扩大SuperGaN平台的优势
新型50mOhm SuperGaN场效应晶体管简化并加快基于氮化镓的高功率系统的开发，适用于数据中心和广泛工业应用
Transphorm的表面贴装封装产品系列增加行业标准TO-263 (D2PAK)封装产品，扩大SuperGaN平台的优势
新型50mOhm SuperGaN场效应晶体管简化并加快基于氮化镓的高功率系统的开发，适用于数据中心和广泛工业应用
Transphorm的SuperGaN Gen V FET提供世界上最低的封装导通电阻，瞄准电动汽车应用
12月2日——高可靠性、高性能的氮化镓(GaN)功率转换产品的先驱和全球供应商Transphorm Inc. (OTCQB: TGAN)今日宣布供应其SuperGaNTM自主品牌旗下的首款Gen V器件的样品。Transphorm的新型Gen V器件TP65H015G5WS瞄准电动汽车(EV)市场，提供SuperGaN器件系列行业领先的固有性能增强、易设计性和优化的成本结构。