贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC（现已被 Qorvo®收购）UJ4C/SC FET。

7 款 D2PAK 表贴器件提供出色的灵活性

七款D2PAK 表面贴装器件可提供更佳灵活性

贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销UnitedSiC（现已被Qorvo®收购）的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。

Qorvo® 今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列，该系列具有出色的导通电阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常适用于主流的 800V 总线架构，这种架构常见于电动汽车车载充电器、工业电池充电器、

Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）系列，这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。

贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货 UnitedSiC（现已被Qorvo®收购）的UF3N170400B7S JFET。

图腾柱功率因数校正电路一直停留在想法阶段，人们不断寻找它的有效实施技术。现在，人们发现，SiC FET是能让该拓扑发挥最大优势的理想开关。

移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo®,Inc. 今天宣布，已收购位于新泽西州普林斯顿领先碳化硅（SiC）功率半导体供应商UnitedSiC公司。对UnitedSiC的收购扩大了Qorvo在快速增长的电动汽车（EV）、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源市场的影响力。

领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC（联合碳化硅）公司，现已发布业界最佳的750V、6mΩ器件，从而响应了电源设计人员对更高性能、更高效率的SiC FET的需求。