意法半导体第四代碳化硅功率技术问世:为下一代电动汽车电驱逆变器量身定制

到 2025 年,750V 和 1200V两个电压等级的产品将实现量产,将碳化硅更小、更高效的优势从高端电动汽车扩展到中型和紧凑车型。

电驱逆变器SiC功率模块芯片级热分析

本文提出一个用尺寸紧凑、高成本效益的DC/AC逆变器分析碳化硅功率模块内并联裸片之间的热失衡问题的解决方案,该分析方法是采用红外热像仪直接测量每颗裸片在连续工作时的温度,分析两个电驱逆变模块验证,该测温系统的验证方法是,根据栅源电压阈值选择每个模块内的裸片。

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