Vishay推出先进的30 V N沟道MOSFET，进一步提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 推出多功能新型30 V n沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET---SiSS52DN，提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 推出多功能新型30 V n沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET---SiSS52DN，提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。