Vishay推出先进的30 V N沟道MOSFET,进一步提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效
![winniewei的头像 winniewei的头像](https://cdn.eetrend.com/files/styles/picture200/public/pictures/picture-709-1583200707.jpg?itok=i2ZF6LPv)
![](https://cdn.eetrend.com/files/styles/picture400/public/2021-05/wen_zhang_/100113154-207463-20210525vcnl36825t.jpg?itok=InE512Of)
日前,Vishay Intertechnology, Inc. 推出多功能新型30 V n沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET---SiSS52DN,提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。
日前,Vishay Intertechnology, Inc. 推出多功能新型30 V n沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET---SiSS52DN,提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。