早在 2019 年，代工厂就已经开始了有限度地将极紫外（EUV）光刻光刻技术应用于大批量的芯片制造（HVM）。然而影响 EUV 工艺普及的主要因素之一，就是光掩模（Pellicles）材料的缺乏，结果限制了 EUV 工艺的产能扩张。好消息是，近日有消息称，这种情况终于得到了改善，且有望在未来几年迎来进一步的发展。
资料图（来自：TSMC）
近年来，阿斯麦（ASML）的 Twinscan NXE EUV 光刻机已经取得了长足进步，改善了光源性能、可用时间、以及生产力。
遗憾的是，EUV 掩膜部分仍面临量产前的巨大挑战。且除了台积电，三星半导体也被迫寻找在供应缺乏下的 EUV 替代制造工艺。
芯片制造中使用的掩膜材料（通常为 6×6 英寸），能够将可能落于基材表面上的颗粒隔离开，从而对芯片生产线上的晶圆提供额外的保护。
由于每套 EUV 标线片就需动用 30 万美元的成本，因此降低与收益率相关的风险也尤为重要。
ASML 的 EUV Pellicle（图自：Semiconductor Engineering）
早在 2019 年，ASML 就已经突出了首款 EVU 掩膜，并将技术授权给了三井化学。后者计划于 2021 年 2 季度开始量产销售，且 ASML 方面也未停止持续改进。
不过 Semiconductor Engineering 指出，迄今为止，只有 ASML 推出了在商业上切实可行的 EUV 掩膜（基于 50nm 厚度的多晶硅）。
早在 2016 年，该公司就展示了在模拟的 175W 光源上实现的 78% 透射率，且当前已在出售效率高达 88% 的新一代掩膜。相信不久后，三井化学就会大量供应此类掩膜。
最后，AnandTech 提到 ASML 已经展示了透射率高达 90.6% 的原型。其不均匀性控制在了 0.2% 以内，且能够在 400W 光源下将反射率控制在 0.005% 以下。
来源：cnBeta.COM
