随着5G通信的渗透率进一步提升，无线通信设备的工作频段和通信协议的复杂度也会大幅增加。在当前频谱资源有限并且日益稀缺的情况下，各通信频段尤其是3GHz以下的频段是极其拥挤的，有效地提升频谱资源的利用效率是无线通信技术发展非常重要的课题和方向。为了满足通信系统多频段共存的要求，需要系统中的滤波器有更高的Q值和滚降特性，来改善工作频段的插损和对邻近频段的抑制能力，以满足通信系统对功耗、功率、干扰等方面的要求。
此外，随着3GPP最新发布PC1.5功率等级的定义和高功率终端扩展的解决方案，移动终端设备也在进一步提升输出功率等级，进而对滤波器的功率容量特性提出了极大的挑战。
B25（上行频率为1850-1915MHz，下行频率为1930-1995MHz）是体现高共存要求的代表频段。B25双工器的发射/接收的过渡频带只有15MHz，并且插损和隔离度要求很高，再考虑到实际量产的频率波动和温漂，常规的技术和工艺路线无法满足性能和良率的要求，因此B25双工器是最难突破的双工器产品，有能力推出B25双工器产品的公司屈指可数。
立鼎微电子发布的B25 BAW双工器产品
立鼎微电子利用在设计、器件、工艺和材料上的多项首创技术，获得了极高的产品Q值特性，并在高滚降技术上实现了突破，成功研发并量产了B25 BAW双工器产品（包含1814尺寸：1.8mm*1.4mm和1612尺寸：1.6mm*1.2mm）。本款B25产品性能国际领先，可完全替代国外同型号产品，相关的技术已申请多项专利。
Fig.1 立鼎微电子发布的B25双工器实拍图（1612尺寸）
Fig.2 立鼎微电子发布的B25双工器实拍图（1814尺寸）
Fig.3 立鼎微电子发布的B25双工器的性能曲线：
（a）B25发射端滤波器的通带插损；
（b）B25接收端滤波器的通带插损；
（c）B25发射和接收滤波器的邻带抑制情况；
（d）B25发射和接收滤波器的隔离度情况
B25工作频段为发射端TX：1850-1915MHz，接收端RX：1930-1995MHz。本产品采用立鼎微电子的全新的器件结构、工艺路线、材料和设计方案，获得了较好的性能和良率特性，其中TX频段的插损典型平均值为1.2dB，RX频段的插损典型平均值为1.3dB，TX和RX的隔离度典型平均值为60dB左右，对其他共存频段也有较好的抑制特性，同时具有很好的收敛性。
本款B25双工器提供1612、1814两个封装尺寸供客户选择。
立鼎微电子发布的B66 BAW双工器产品
立鼎微电子利用在设计、器件、工艺和材料上的多项首创技术，成功研发并量产了具有国际领先性能的B66 BAW双工器产品。该产品在功率上亦有重要突破，在高温85℃的严苛测试条件下，实现了超过34dBm的熔断功率（Fuse Power）。
一般来讲，每提升一个功率等级，滤波器的功率容量需要提升3dB。在当前双工器普遍只支持30dBm的情况下（PC3功率等级），本公司的B66双工器产品可以支持下一功率等级（PC2功率等级）。并且由于B66 接收频段带宽较宽的特性，需要通过增大芯片尺寸来实现更宽的带宽，所以B66更难实现1612的小尺寸封装，本产品也是当前市场极稀缺的采用BAW技术实现的1612尺寸的B66双工器产品，在性能和尺寸上均有较强的竞争力。
Fig.4 立鼎微电子发布的B66双工器实拍图（1612尺寸）
Fig.5 立鼎微电子发布的B66双工器实拍图（1814尺寸）
Fig.6 立鼎微电子发布的B66 双工器的性能曲线
（a）B66发射端滤波器的通带插损；
（b）B66接收端滤波器的通带插损；
（c）B66发射和接收滤波器的邻带抑制情况；
（d）B66发射和接收滤波器的隔离度情况
Fig.7 立鼎微电子发布的B66双工器熔断功率（Fuse Power）测试结果
B66双工器工作频段为发射端TX：1710-1780MHz，接收端RX：2110-2200MHz。本产品采用立鼎微电子的全新的器件结构、工艺路线、材料和设计方案，获得了较好的性能和良率特性，其中TX频段的插损典型平均值为0.9dB，RX频段的插损典型平均值为0.9dB，TX和RX的隔离度典型平均值超过60dB，抑制特性、收敛性和产品一致性很好，并且熔断功率超过了34dBm。
本款B66双工器提供1612、1814两个封装尺寸供客户选择。
关于立鼎微电子
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来源：立鼎微电子
