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东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1,进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构,耐压600V,适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品,于今日开始批量出货。
通过对栅极设计和工艺进行优化,与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比,600V DTMOSVI系列产品的单位面积漏源导通电阻降低了约13%,漏源导通电阻×栅漏电荷(MOSFET性能的品质因数)降低了约52%。这有助于确保该系列产品实现导通损耗和开关损耗的双重降低,并最终实现了开关电源效率的提高。
该新产品采用TOLL封装,栅极驱动采用开尔文连接。可以通过降低封装中源极线电感的影响,增强MOSFET的高速开关性能,从而抑制开关过程中的振荡。
未来,东芝将继续扩展600V DTMOSVI系列产品线,以及已发布的650V DTMOSVI系列产品,并通过降低开关电源的功率损耗来达到节约节能的目的。
图1:漏极-源极导通电阻与栅漏电荷比较
应用
- 数据中心(服务器开关电源等)
- 光伏发电机功率调节器
- 不间断电源系统
特性
- 低漏源导通电阻×栅漏电荷,有助于提高开关电源的效率
主要规格
(除非另有说明,Ta=25℃)
器件型号 | ||||
绝对最大 值 | 漏极-源极电压VDSS(V) | 600 | ||
漏极电流(DC)ID(A) | 40 | |||
结温Tch(℃) | 150 | |||
电气特性 | 漏极-源极导通电阻 RDS(ON)(mΩ) | VGS=10V | 最大值 | 55 |
总栅极电荷Qg(nC) | 典型值 | 65 | ||
栅极-漏极电荷Qgd(nC) | 典型值 | 15 | ||
输入电容Ciss(pF) | 典型值 | 3680 | ||
封装 | 名称 | TOLL | ||
尺寸(mm) | 典型值 | 9.9×11.68 厚度=2.3 | ||
库存查询与购买 |
注:
[1] 截至2023年6月
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TK055U60Z1
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