东芝

东芝推出第3代650V SiC肖特基势垒二极管，助力提高工业设备效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出最新一代[1]用于工业设备的碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBDs）——“TRSxxx65H系列”。
东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化
采用最新一代工艺，可提供低导通电阻和扩展的安全工作区
东芝推出“TXZ+™族高级系列” ARM® Cortex®-M3微控制
配备1MB代码闪存，支持无需中断微控制器运行的固件升级
东芝推出外部部件更少的小型封装电机驱动IC，节省电路板空间
东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，面向消费类产品和工业设备推出电机驱动IC“TB67S581FNG”、“TB67S580FNG”、“TB67H481FNG”和“TB67H480FNG”，其需要的外部部件数量不仅有所减少，而且还采用了极为通用且节省空间的小型封装。
东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，推出采用最新一代工艺制造的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。
东芝推出小型光继电器，高速导通有助于缩短半导体测试设备的测试时间
东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，推出采用S-VSON4T封装的光继电器——“TLP3476S”，其导通时间与东芝当前产品TLP3475S相比缩短了一半。该产品于今日开始支持批量出货。
东芝推出有助于降低设备待机功耗的高电压、低电流消耗LDO稳压器
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新TCR1HF系列LDO稳压器的前三款产品——“TCR1HF18B”、“TCR1HF33B”和“TCR1HF50B”，分别提供1.8V、3.3V和5.0V的输出电压。
东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET，适用于快充设备
东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保护电路。该产品于今日开始支持批量出货。
东芝推出检测电子设备温升的简单解决方案Thermoflagger
东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，推出过温检测IC ThermoflaggerTM系列的首两款产品：“TCTH021BE” 当检测到异常状态时，FLAG信号不带锁存功能,“TCTH022BE”FLAG信号检测带锁存功能。
东芝推出新款数字隔离器，助力工业应用实现稳定的高速隔离数据传输
高共模瞬态抑制（CMTI）和高速数据速率