东芝 | 电子创新网

东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET，可大幅提高电源效率

winniewei -- 周四, 03/31/2022 - 13:36

东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。

winniewei -- 周四, 03/10/2022 - 11:18

东芝美国电子元件公司（TAEC）刚刚宣布了 N300 Pro 和 X300 Pro 两条机械硬盘产品线，旨在为企业客户和创作者们带来可靠的高性能硬盘驱动器解决方案。

winniewei -- 周五, 02/25/2022 - 17:38

Chubu Toshiba Engineering将于2022年成为铠侠的全资子公司

winniewei -- 周四, 02/24/2022 - 11:15

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出一款用于高频天线的超低电容TVS二极管---“DF2B6M4BSL”。

winniewei -- 周一, 02/14/2022 - 11:23

利用专有技术FC-MAMR和MAS-MAMR进一步提升磁录密度水平

winniewei -- 周五, 02/11/2022 - 09:31

第一阶段的生产计划将使产能提高2.5倍

winniewei -- 周三, 02/09/2022 - 11:25

TCK42xG系列支持外部N沟道MOSFET的背对背连接

winniewei -- 周三, 02/09/2022 - 10:12

东芝电子元件及存储装置株式会社宣布，推出一款3相直流无刷电机控制预驱IC---“TC78B011FTG”，该产品适用于服务器风扇和鼓风机使用的高速电机，以及无绳真空吸尘器与扫地机器人使用的吸尘电机。

winniewei -- 周三, 01/26/2022 - 14:06

东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流为600A；后者额定电压为1700V，额定漏极电流为400A。

winniewei -- 周四, 01/20/2022 - 15:33

新器件适用于高电压汽车电池