英飞凌

英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。

日前，英飞凌工业功率控制事业部大中华区市场推广总监陈子颖先生和英飞凌科技电源与传感事业部大中华区应用市场总监程文涛先生在媒体采访中就第三代半导体技术价值、产业发展和技术趋势进行了深入解读。

英飞凌CIPOS™ Maxi SiC IPM 是一款基于MOSFET的55 mΩ三相CoolSiC™发射极开路智能电源模块，采用36x23D DIP封装。该模块具有优良导热性和高开关速率范围(高达80 Hz)，提供了功能齐全的紧凑型逆变器解决方案。

在英飞凌科技股份公司的协调下，“电子元件唯一可识别性的设计方法和硬件/软件联合验证”（VE-VIDES）研究项目已经开始运作。来自研究和学术部门以及电子和终端用户行业的12家合作伙伴将紧密合作，为物联网开发一个全面的整体安全概念。

功率器件作为电力电子装置的核心器件，在设计及使用过程中如何保证其可靠运行，一直都是研发工程师最为关心的问题。功率器件除了要考核其电气特性运行在安全工作区以内，还要对器件及系统的热特性进行精确设计，才能既保证器件长期可靠运行，又充分挖掘器件的潜力。而对功率器件及整个系统的热设计，都是以器件及系统的热路模型为基础来建模分析的，本文对IGBT模块的等效热路模型展开基础介绍，所述方法及思路也可用于其他功率器件的热设计。

在我们的日常工作中，经常会碰到器件失效或系统故障，这时为了清楚界定失效事件的严重性，就需要定量的来描述具体的失效率，这就需要用专业的术语来沟通，而有的工程师喜欢谈FIT，有的工程师喜欢谈MTBF，其实这两个概念所描述的主体是不一样的，因此有必要在此简析一下。

如何评估IGBT模块的损耗与结温？英飞凌官网在线仿真工具IPOSIM，是IGBT模块在选型阶段的重要参考。这篇文章将针对IPOSIM仿真中的散热器热阻参数Rthha，给大家做一些清晰和深入的解析。

英飞凌科技股份公司推出的全新MEMS*扫描仪解决方案，由MEMS镜片和MEMS驱动器组成，可助力实现全新的产品设计。

部署新的二极管可以使汽车的二氧化碳排放量减少1.8克/公里。由于它可以一对一地取代标准器件，有源整流二极管甚至可以很容易地应用于已经批量生产的发电机和汽车。

本文详细叙述了实际使用时对IPM模块的各种结温的计算和测试方法，从直接红外测试法，内埋热敏测试，壳温的测试方法，都进行详细说明，以指导技术人员通过测量模块自带的Tntc的温度估算或测试IPM变频模块的结温，然后利用开发样机测试结果对实际产品进行结温估算标定，评估IPM模块运行的可靠性。