Nexperia迎来独立公司成立五周年庆典,未来将继续大展宏图
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全系列产品涵盖从1.8V至75V的各种应用
基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)今天宣布推出业内首批A-selection齐纳二极管。
基础半导体元器件领域的专家Nexperia,今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管,正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN) FET的可靠供应商Nexperia而言是一项战略性举措,旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围。
Nexperia今日宣布推出两款PESD5V0R1BxSF器件,即具有极低钳位和电容的双向静电放电(ESD)保护二极管。
基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布,公司研发的表面贴装器件-铜夹片FlatPower封装CFP15B首次通过领先的一级供应商针对汽车应用的板级可靠性 (BLR)测试。该封装将首先应用于发动机控制单元。
基础半导体器件领域的专家Nexperia,今日宣布将于9月21日至23日举办‘Power Live’,这是其第二次举办此年度虚拟会议。鉴于去年首届活动取得圆满成功,本届为期三天的活动将扩大规模,涵盖与功率电子元件相关的众多主题,包括面向汽车和工业应用的GaN、MOSFET、功率二极管和双极性晶体管。
Nexperia非常荣幸地宣布,公司荣获博世全球供应商荣誉大奖“采购直接材料 - 移动解决方案”。连续两次获得这一殊荣足以证明Nexperia与全球领先的技术和服务供应商博世已建立长期协作关系,包括合作进行早期阶段的产品开发,以应对汽车行业面临的挑战。
基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET,新器件增强了SOA性能,适用于5G电信系统和48 V服务器环境中的热插拔与软启动应用以及需要e-fuse和电池保护的工业设备。
Nexperia是基础半导体器件领域的专家,今日宣布推出9款新的功率双极性晶体管,扩大了具有散热和电气优势的DPAK封装的产品组合,涵盖2 A - 8 A 和45 V - 100 V应用。新的MJD系列器件与其他DPAK封装的MJD器件引脚兼容,且在可靠性方面有着显著优势。