新推出的80 V和100 V器件最大限度降低额定值，并改善均流，从而提供最佳性能、高可靠性并降低系统成本
基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增强了SOA性能，适用于5G电信系统和48 V服务器环境中的热插拔与软启动应用以及需要e-fuse和电池保护的工业设备。
ASFET是一种新型MOSFET，经过优化，可用于特定应用场景。通过专注于对某一应用至关重要的特定参数，有时需要牺牲相同设计中其他较不重要的参数，以实现全新性能水平。新款热插拔ASFET将Nexperia的最新硅技术与铜夹片封装结构相结合，显著增强安全工作区(SOA)并最大限度缩小PCB面积。
以前，MOSFET深受Spirito效应的影响，导致SOA性能因在较高电压下的热不稳定性而迅速下降。Nexperia坚固耐用的增强型SOA技术消除了“Spirito-knee”，与前几代D2PAK相比，在50 V时SOA增加了166%。
另一项重要改进是数据手册中添加了125 °C SOA特性。Nexperia国际产品高级营销经理Mike Becker表示：“以前只在25 °C时指定SOA，这意味着在高温环境中的操作，设计师必须进行降额。我们的新款热插拔ASFET包括125 °C SOA规范，消除了该耗时的任务，并证实了Nexperia的器件即使在高温下也具有出色的性能。”
全新PSMN4R2-80YSE（80 V，4.2 m）和PSMN4R8-100YSE（100 V，4.8 m）热插拔ASFET采用兼容Power-SO8的LFPAK56E封装。该封装独特的内部铜夹片结构提高了热性能与电气性能，同时大大减小了管脚尺寸。全新的LFPAK56E产品尺寸仅为5 mm x 6 mm x 1.1 mm，与上一代D2PAK相比，PCB管脚尺寸和器件高度分别缩小80%和75%。此外，器件的最大结温为175 °C，符合IPC9592对电信和工业应用的规定。
Becker补充道：“另外一个优点是在需要多个热插拔MOSFET并联使用的高功率应用中，使均流能力得到改善，从而提高了可靠性并降低了系统成本， Nexperia被广泛认为是热插拔MOSFET市场领导者。凭借这些最新的ASFET，我们再一次提高了标准。”
新款热插拔ASFET是最新器件，将在Nexperia位于英国曼彻斯特的新8英寸晶圆生产厂制造，已准备好批量生产。有关更多信息，包括产品规范和数据手册，请访问 https://www.nexperia.com/products/mosfets/application-specific-mosfets/asfets-for-hotswap-and-soft-start
9月21日至23日，您还可以通过Nexperia的Power Live活动查看该新技术的实际应用 https://www.nexperia.com/power-live
关于Nexperia
Nexperia，作为生产大批量基础半导体器件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付900多亿件产品，产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面获得行业广泛认可，拥有先进的小尺寸封装技术，可有效节省功耗及空间。
凭借几十年来的专业经验，Nexperia持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务，并在亚洲、欧洲和美国拥有超过12,000名员工。Nexperia是闻泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司，拥有庞大的知识产权组合，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001认证。
