安森美将收购碳化硅 JFET 技术,以增强其针对人工智能数据中心的电源产品组合
收购Qorvo的SiC JFET业务及其子公司United Silicon Carbide,预计将在5年内为安森美带来13亿美元的市场机会
EliteSiC M3e MOSFET 在可靠且经过实际验证的平面架构上显著降低了导通损耗和开关损耗。与前几代产品相比,该平台能够将导通损耗降低30%,并将关断损耗降低多达50%
本文提出一个用尺寸紧凑、高成本效益的DC/AC逆变器分析碳化硅功率模块内并联裸片之间的热失衡问题的解决方案,该分析方法是采用红外热像仪直接测量每颗裸片在连续工作时的温度,分析两个电驱逆变模块验证,该测温系统的验证方法是,根据栅源电压阈值选择每个模块内的裸片。