新思科技

2021新思科技开发者大会:揽数字芯光,话未来芯愿

928日,中国年度芯片技术创新峰会“2021新思科技开发者大会”在上海中心大厦成功举行。在数字经济成为经济增长新动能的当下,新思科技携手芯片开发者及行业领袖,围绕5G、物联网、人工智能、智能汽车、高性能计算等数字经济核心应用领域,共同分享前沿的芯片研发技术趋势与实践,并解密新思科技最新技术和产品,共揽数字“芯”光。

新思科技PrimeSim可靠性分析解决方案加速任务关键型IC设计超收敛

新思科技(Synopsys, Inc.)今天宣布,多家领先的半导体公司已采用其全新PrimeSim™可靠性分析解决方案,以加快针对任务关键型IC设计超收敛的可靠性验证。

芯和半导体联合新思科技业界首发“3DIC先进封装设计分析全流程”EDA平台

国产EDA行业的领军企业芯和半导体发布了前所未有的“3DIC先进封装设计分析全流程”EDA平台。

新思科技举办“联合创新数字未来”研讨会,聚力创芯,共抵数字未来

8月26日,新思科技位于上海市杨浦区的新办公楼正式启用,中共上海市杨浦区委书记谢坚钢,中国科学院院士、上海交通大学副校长毛军发,中国科学院院士、复旦大学光电研究院院长褚君浩,杨浦区副区长赵亮,以及新思科技在中国的广大合作伙伴们参观了新思科技上海办公楼,共同见证了这一重要发展里程碑,并出席了“联合创新数字未来”研讨会。

AI设计芯片比人行?能让芯片性能提升1000倍在未来10年

知名电子设计自动化软件提供商美国新思科技(Synopsys)CEO阿尔特·德·吉亚斯(Aart de Geus)称,未来10年,AI(人工智能)设计技术将助力芯片性能提升1000倍。

【原创】新思科技承诺:要让IC设计效率提升1000倍!

在7月29日新思科技上海办公室焕新暨媒体圆桌会上,新思科技首席运营官Sassine Ghazi就IC设计的未来以及EDA工具的发展分享了新思科技的洞见,他指出,随着人工智能以及云计算等技术的应用,未来新思的EDA工具要将IC设计效率提升1000倍!

华邦OctalNAND Flash与新思科技DesignWare AMBA IP完美契合,提供完整的高容量 NAND 闪存解决方案

华邦电子今日宣布,华邦OctalNAND Flash可透过与新思科技用于AMBA DesignWare Synchronous Serial Interface (SSI) IP的整合,获得完整的支持。DesignWare SSI IP可优化闪存性能,助力串行式闪存与华邦OctalNAND Flash实现高传输速率并降低延迟。

三星电子采用新思科技PrimeShield,提高下一代工艺节点设计的能效比和性能

新思科技(Synopsys, Inc.)近日宣布,三星电子系统LSI业务部门已在其先进工艺技术上部署新思科技的PrimeShield™设计鲁棒性解决方案,用于涉及手机、5G和汽车电子等应用的下一代设计。

新思科技与三星合作,加速推广变革性3纳米GAA技术

新思科技近日宣布,其Fusion Design Platform™已支持三星晶圆厂实现一款先进高性能多子系统片上系统(SoC)一次性成功流片,验证了下一代3纳米(nm)环绕式栅极(GAA)工艺技术在功耗、性能和面积(PPA)方面的优势。

新思科技 DesignWare IP基于台积公司 N5制程技术助力客户连续实现一次流片成功,获行业广泛采用

新思科技(Synopsys, Inc.)近日宣布,其广泛的DesignWare®接口、逻辑库、嵌入式存储器和PVT监控IP核解决方案协助20多家领先半导体公司在台积公司N5制程上实现一次性流片成功。