降低半导体金属线电阻的沉积和刻蚀技术
使用SEMulator3D®可视性沉积和刻蚀功能研究金属线制造工艺,实现电阻的大幅降低
虚拟半导体工艺建模是研究金属线设计选择更为经济、快捷的方法
大面积分析技术可以预防、探测和修复热点,从而将系统性、随机性和参数缺陷数量降至最低,并最终提高良率
SEMulator3D 工艺建模在开发早期识别工艺和设计问题,减少了开发延迟、晶圆制造成本和上市时间
使用SEMulator3D®工艺步骤进行刻蚀终点探测
帮助imec确定使用半大马士革集成和空气间隙结构进行3nm后段集成的工艺假设
持续的器件微缩导致特征尺寸变小,工艺步骤差异变大,工艺窗口也变得越来越窄[1]。半导体研发阶段的关键任务之一就是寻找工艺窗口较大的优秀集成方案。
在掺钪氮化铝脉冲激光沉积领域的创新或成为推动无铅压电触觉设备大批量生产的关键
SEMulator3D®虚拟制造平台可以展示下一代半大马士革工艺流程,并使用新掩膜版研究后段器件集成的工艺假设和挑战
近 200 个国家或地区的队伍将在新加坡举行的 2023 年度 FIRST Global机器人挑战赛上一决高下