使用MSO 5/6内置AWG进行功率半导体器件的双脉冲测试
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我们将高功率SiC器件定义为处理1kV和100A范围内的器件,这相当于100kW的功率。SiC晶体管处理和服务的高电压、高电流和快速开关系统的性质带来了许多在普通5V或12V系统中不会出现的挑战。
我们将高功率SiC器件定义为处理1kV和100A范围内的器件,这相当于100kW的功率。SiC晶体管处理和服务的高电压、高电流和快速开关系统的性质带来了许多在普通5V或12V系统中不会出现的挑战。
近日,泰克科技与远山半导体的合作迎来又一重要里程碑,双方携手对远山半导体最新推出的1700V GaN器件进行了深入测试与评估,成果斐然,为该器件在高端应用市场的拓展注入强劲动力。
在全球能源结构转型和可持续发展的大背景下,光伏产业作为可再生能源的主力军,正迎来前所未有的发展机遇。然而,光伏系统的安全性和可靠性问题也日益凸显,成为制约其进一步发展的关键因素。
射频信号比以往任何时候都更加动态多变和难以预测,这给工程师们带来了全新挑战。就连传统的矢量频谱分析仪也难以捕捉瞬时或间歇信号,因此,用户无法完整了解电路或系统的运行情况。