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Vishay 推出新款精密薄膜MELF电阻，可减少系统元器件数量，节省空间，简化设计并降低成本

winniewei -- 周四, 12/19/2024 - 10:52

器件采用0102、0204和 0207封装，TCR低至  15 ppm/K，公差仅为  0.1 %，阻值高达10 M

winniewei -- 周四, 12/12/2024 - 14:37

VCNL36828P采用VCSEL和智能双I2C从机地址，在紧凑的2.0 mm x 1.0 mm x 0.5 mm SMD封装中提供低至5 μA的待机电流

winniewei -- 周三, 12/11/2024 - 10:58

这款节省空间的工业级器件提供了典型值为 0.3 ms的快速导通时间和2 nA的低漏电流

winniewei -- 周三, 12/04/2024 - 16:22

器件占位面积小，采用BWL设计，ID高达795 A，可提高功率密度，而且低至0.21 C/W的RthJC可优化热性能

winniewei -- 周二, 11/26/2024 - 14:49

器件Qrr低至105 nC，VF为1.10 V，在降低开关损耗的同时，可降低寄生电容并缩短恢复时间

winniewei -- 周三, 11/20/2024 - 14:06

TrenchFET® 器件采用PowerPAK® SO-8S封装，RthJC低至0.45 C/W，ID高达144 A，从而提高功率密度

winniewei -- 周五, 11/15/2024 - 14:20

新的TS7系列采用 6.7 mm x 7 mm的紧凑尺寸，功率密度高，可提供0.5 W的额定功率和IP67密封等级

winniewei -- 周三, 10/30/2024 - 16:02

自我保护器件R25阻值达1.5 k，可处理电压高达1200 VDC，能量吸收能力达340 J，可减少元件数量

winniewei -- 周四, 10/24/2024 - 10:38

器件峰值输出电流高达4 A，工作温度高达+125 °C，传播延迟低至200 ns

winniewei -- 周三, 10/23/2024 - 10:50

车规级器件采用节省空间的SOP-4封装，典型导通和关断时间为0.1 ms，达到业内先进水平