Vishay

Vishay推出新型Cyllene 2 IC以升级红外遥控应用的VSOP383xx系列前置放大电路
这些器件采用紧凑型QFN封装，可提供更宽的电压范围、增强的黑暗环境灵敏度，以及在强DC光和Wi-Fi噪声下的更优性能
Vishay推出多款采用工业标准SOT-227封装的650 V和1200 V SiC肖特基二极管，提升高频应用效率
40 A至240 A双二极管和单相桥式器件正向压降低至1.36 V，QC仅为56 nC
Vishay最新推出可满足严苛要求的高精度60mm感应式位置传感器
RAIK060可在靠近电机处使用，比磁编码器更轻薄，而且转速更高，延迟时间更短
Vishay推出适用于恶劣环境应用的的微型密封多匝SMD微调电位器
这些节省空间的器件采用3 mm x 4 mm x 4 mm的尺寸紧凑，具有IP67密封等级，可在+150 °C的高温下运行
Vishay 推出新款精密薄膜MELF电阻，可减少系统元器件数量，节省空间，简化设计并降低成本
器件采用0102、0204和 0207封装，TCR低至  15 ppm/K，公差仅为  0.1 %，阻值高达10 M
Vishay全集成接近传感器荣获2024年度中国IoT创新奖和2024年度EE Awards亚洲金选奖
VCNL36828P采用VCSEL和智能双I2C从机地址，在紧凑的2.0 mm x 1.0 mm x 0.5 mm SMD封装中提供低至5 μA的待机电流
Vishay 推出应用于对安全要求极高的电子系统的新款1 Form A固态继电器
这款节省空间的工业级器件提供了典型值为 0.3 ms的快速导通时间和2 nA的低漏电流
Vishay推出性能先进的新款40 V MOSFET
器件占位面积小，采用BWL设计，ID高达795 A，可提高功率密度，而且低至0.21 C/W的RthJC可优化热性能
Vishay推出采用eSMP®系列SMF（DO-219AB）封装的全新1 A和2 A Gen 7 1200 V FRED Pt®超快恢复整流器
器件Qrr低至105 nC，VF为1.10 V，在降低开关损耗的同时，可降低寄生电容并缩短恢复时间
Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能
TrenchFET® 器件采用PowerPAK® SO-8S封装，RthJC低至0.45 C/W，ID高达144 A，从而提高功率密度