Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管,提升开关电源设计能效和可靠性
器件采用MPS结构设计,额定电流5 A~ 40 A,低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低
屏蔽设计经过改进提高了额定电压,辐射电场减小20 dB,极性标识增强EMI控制
可定制变压器采用独特的绕线结构和制造工艺,符合MIL-STD-981 S级标准
第四代器件,额定功率和功率密度高于D2PAK 封装产品,降低导通和开关损耗,从而提升能效
通孔器件采用铁氧体磁芯技术,工作温度达+155 °C,直流内阻低,有助于减少功耗,提高效率
SMD器件发光强度达2300 mcd,波长分别为525 nm和465 nm,适用于心率监测和烟雾探测
器件内置旋钮开关,IP67密封,介电强度高达5000 VAC,额定功率1 W